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品牌1	SAMCO	日本		详情请来电咨询
品牌2	牛津	英国	PlasmaPro 100 RIE	详情请来电咨询

品牌：SAMCO（日本）

RIE – 反应离子刻蚀

反应离子刻蚀系统的产品阵容

莎姆克公司提供多种反应离子刻蚀(RIE)系统供研发和生产使用。紧凑的桌面型反应离子刻蚀机适合器件研究、IC失效分析中去层。直开式和真空锁式RIE系统具有宽的刻蚀工艺窗口，可用于刻蚀各种材料（硅，电介质，化合物半导体，金属，聚合物和光刻胶）。片盒式RIE系统适合芯片量产。

桌面型RIE系统

莎姆克公司的RIE-1C机型是一款半自动直开式RIE等离子刻蚀系统，占地面积小。非常适用于科研和IC失效分析，它只占用很小的桌面空间。一旦刻蚀参数设置好，按下开始按钮，系统将自动开始抽气，进工艺气体，射频源开启，腔体排气等程序。运行完成后发出声音信号。
    RIE-1C门互锁装置和复位开关保证了操作人员和设备的安全。手动射频匹配器和节流阀消除了潜在的系统故障，并降低运行成本。
    按照标准，这种紧凑型系统可放置一片4寸晶片或小芯片、封装器件。也可选升级到6寸的基板。射频发生器和真空泵可放置在主机下的小型箱体内。

直开式RIE系统

直开式的系统需要操作员先将反应室充大气，然后手动将样品放在基座上。莎姆克公司RIE-10NR，RIE-300NR和RIE-480NR都是全自动直开式反应离子刻蚀系统，分别可放置8”，300mm，或者450mm大小的基板。这些系统主要是为了满足了研究和生产客户使用F基气体进行化学刻蚀。
    电脑化的触摸屏提供友好的用户界面，包括数据控制和工艺储存。全自动“一键”操作或全手动操作。反应室与分子泵对称的排气设计创造了高效的真空流。气体控制箱靠近反应室，有利于减少气体在输气管道中停留时间。优化的气体喷淋头，能均匀地输送工艺气体。这些独特的设计使等离子体蚀刻系统具有大的工艺窗口，良好的工艺控制和均匀性。

真空搬送式RIE系统

真空搬送式RIE 系统有一个反应腔和一个单独的传片室。增加的传片室使得反应腔能保持真空环境，这种可控环境提高了工艺的重复性。并且当使用腐蚀性或有毒气体，如氯基气体，或当刻蚀副产品有害时，传片室也是必需配置。
    RIE-200NL是一款真空搬送式高精度反应离子刻蚀系统，可以用来刻蚀各类半导体、绝缘体和金属薄膜。它包括直开式设备的所有功能，并额外在反应室内加装了表面处理的保护壁板。当装载样品，保护壁板升起。这种装置保护了阀门的密封，同时提高了均匀性。

大气Cassette型RIE刻蚀系统

使用氟基或某些有机气体时，在反应室外增加的片盒可以有效提高设备产能。
The RIE-100C和RIE-200C都是带单个或两个片盒的反应离子刻蚀系统，并配有机械手和晶圆对准器。机械手使用真空吸力，可实现晶圆高速传输，对准工作站则保证了装片的精度。
    在这种结构中，反应室能迅速放气并卸片，然后装取新的晶圆。在反应腔阀门关闭后，腔体被泵抽到工艺压力，工艺完成后，循环重复。RIE-100C 和RIE-200C具有直开式平台所有性能特点。可选择增加ESC卡盘，提高工艺过程中的散热效率。

真空Cassette型RIE刻蚀系统

当工艺过程需要可控的环境，或有腐蚀性/有毒气体如氯气，或当刻蚀副产品有害时，就需要真空装片盒型系统。在这种配置中，反应室连接到配有真空机械手臂的传送室，再连接到配有真空装片盒提升机的装片室。
   RIE-200LC是装片盒式反应离子刻蚀系统。RIE-200LC可用作各种类型的半导体材、绝缘体和金属薄膜的各向异性的刻蚀，由于无需将反应室充放大气可实现连续刻蚀。它包含直开式平台的所有功能，并额外加装反应室内壁保护板，是一种表面经过处理的金属板。装载样片时，升起保护板。这种装置保护了阀门的密封，同时提高了均匀性。可选择增加ESC卡盘，提高工艺过程中的散热效率。

品牌：牛津（英国）

PlasmaPro 100 RIE

Ø PlasmaPro 100 RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。

Ø 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

Ø 快速更换不同尺寸晶圆

Ø 购置成本低且易于维护

Ø 出色的均匀性，高产量和高工艺精度

Ø 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺

Ø 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C

产品特点：

1. 通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底

在维持低气压的同时，允许使用较高的气体流量

2. 电极的温度范围宽（-150°C至+ 400°C）

可通过液氮，液体循环制冷机制冷或电阻丝加热  —— 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换

3. 循环制冷机单元控制电极温度

出色的衬底温度控制能力

4. 高抽气能力 —— 提供了更宽的工艺气压窗口

5. 晶圆压盘与背氦制冷

保证更好的晶片温度控制

应用：

ü III-V族材料刻蚀工艺

ü 固体激光器 InP刻蚀

ü VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

ü 射频器件低损伤 GaN刻蚀

ü 类金刚石 （DLC） 沉积

ü 二氧化硅和石英刻蚀

ü 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆